IRFR3707ZTRPBF JGSEMI

Symbol Micros: TIRFR3707z JGS
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Gehäuse: TO252 (DPACK)
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 13mOhm; 55A; 40W; -55 °C ~ 125 °C; Äquivalent: IRFR3707ZPBF; IRFR3707ZTRLPBF; IRFR3707ZTRPBF; IRFR3707ZTRRPBF; SP001567546; SP001578160; SP001564908;

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Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 13mOhm
Max. Drainstrom: 55A
Maximaler Leistungsverlust: 40W
Gehäuse: TO252 (DPACK)
Hersteller: JGSEMI
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: JGSEMI Hersteller-Teilenummer: IRFR3707ZTRPBF RoHS Gehäuse: TO252 (DPACK) t/r Datenblatt
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200 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,4942 0,2993 0,2302 0,2076 0,1977
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Standard-Verpackung:
200
Widerstand im offenen Kanal: 13mOhm
Max. Drainstrom: 55A
Maximaler Leistungsverlust: 40W
Gehäuse: TO252 (DPACK)
Hersteller: JGSEMI
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 125°C
Montage: SMD

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