IRFR5505
Symbol Micros:
TIRFR5505
Gehäuse: TO252 (DPACK)
P-Channel-MOSFET-Transistor; 55V; 20V; 110mOhm; 18A; 57W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: IRFR5505PBF; IRFR5505TRLPBF; IRFR5505TRPBF; IRFR5505GTRPBF; SP001557164; SP001552238; SP001573294; SP001578228;
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Parameter
Widerstand im offenen Kanal: | 110mOhm |
Max. Drainstrom: | 18A |
Maximaler Leistungsverlust: | 57W |
Gehäuse: | TO252 (DPACK) |
Hersteller: | INFINEON |
Max. Drain-Source Spannung: | 55V |
Transistor-Typ: | P-MOSFET |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: IRFR5505TRPBF RoHS
Gehäuse: TO252 (DPACK) t/r
Auf Lager:
897 stk.
Anzahl Stück | 2+ | 10+ | 50+ | 200+ | 1000+ |
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Nettopreis (EUR) | 0,7033 | 0,4463 | 0,3528 | 0,3201 | 0,3061 |
Widerstand im offenen Kanal: | 110mOhm |
Max. Drainstrom: | 18A |
Maximaler Leistungsverlust: | 57W |
Gehäuse: | TO252 (DPACK) |
Hersteller: | INFINEON |
Max. Drain-Source Spannung: | 55V |
Transistor-Typ: | P-MOSFET |
Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
Montage: | SMD |
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