IRFR5505

Symbol Micros: TIRFR5505
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Gehäuse: TO252 (DPACK)
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P-Channel-MOSFET-Transistor; 55V; 20V; 110mOhm; 18A; 57W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: IRFR5505PBF; IRFR5505TRLPBF; IRFR5505TRPBF; IRFR5505GTRPBF; SP001557164; SP001552238; SP001573294; SP001578228;

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Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 110mOhm
Max. Drainstrom: 18A
Maximaler Leistungsverlust: 57W
Gehäuse: TO252 (DPACK)
Hersteller: INFINEON
Max. Drain-Source Spannung: 55V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRFR5505TRPBF RoHS Gehäuse: TO252 (DPACK) t/r  
Auf Lager:
897 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,7033 0,4463 0,3528 0,3201 0,3061
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Standard-Verpackung:
2000
Widerstand im offenen Kanal: 110mOhm
Max. Drainstrom: 18A
Maximaler Leistungsverlust: 57W
Gehäuse: TO252 (DPACK)
Hersteller: INFINEON
Max. Drain-Source Spannung: 55V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Montage: SMD

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