IRFR5505TRPBF HXY MOSFET

Symbol Micros: TIRFR5505 HXY
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Gehäuse: TO252 (DPACK)
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P-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 105 mOhm; 15A; 34,7 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: IRFR5505PBF; IRFR5505TRLPBF; IRFR5505TRPBF; IRFR5505GTRPBF; SP001557164; SP001552238; SP001573294; SP001578228;

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Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 105mOhm
Max. Drainstrom: 15A
Maximaler Leistungsverlust: 34,7W
Gehäuse: TO252 (DPACK)
Hersteller: HXY MOSFET
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Hersteller: HXY MOSFET Hersteller-Teilenummer: IRFR5505TRPBF RoHS Gehäuse: TO252 (DPACK) t/r Datenblatt
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Nettopreis (EUR) 0,5795 0,3224 0,2523 0,2383 0,2313
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Standard-Verpackung:
100
Widerstand im offenen Kanal: 105mOhm
Max. Drainstrom: 15A
Maximaler Leistungsverlust: 34,7W
Gehäuse: TO252 (DPACK)
Hersteller: HXY MOSFET
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Montage: SMD

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