IRFR8314PBF HXY MOSFET
Symbol Micros:
TIRFR8314 HXY
Gehäuse: TO252 (DPACK)
N-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 4,8mOhm; 160A; 87W; -55°C ~ 150°C; Äquivalent: IRFR8314TRPBF; SP001565102;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 4,8mOhm |
| Max. Drainstrom: | 160A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 87W |
| Gehäuse: | TO252 (DPACK) |
| Hersteller: | HXY MOSFET |
| Max. Drain-Source Spannung: | 30V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Widerstand im offenen Kanal: | 4,8mOhm |
| Max. Drainstrom: | 160A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 87W |
| Gehäuse: | TO252 (DPACK) |
| Hersteller: | HXY MOSFET |
| Max. Drain-Source Spannung: | 30V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Montage: | SMD |
Ähnliche Produkte
Artikel auf Anfrage erhältlich
Hersteller:
JGSEMI
Hersteller-Teilenummer:
IRFR8314TRPBF RoHS
Gehäuse:
TO252 (DPACK) t/r
Auf Lager
100 stk.
| Anzahl Stück | 2+ | 10+ | 30+ | 100+ | 400+ |
| Nettopreis (EUR) | 0,8844 | 0,5542 | 0,4599 | 0,4103 | 0,3844 |
Standard-Verpackung: 100
Menge (Vielfache 1)
Hersteller:
MOSLEADER
Hersteller-Teilenummer:
IRFR8314TRPBF-ML RoHS
Gehäuse:
TO252 (DPACK) t/r
Auf Lager
100 stk.
| Anzahl Stück | 2+ | 10+ | 30+ | 100+ | 400+ |
| Nettopreis (EUR) | 0,9009 | 0,5660 | 0,4693 | 0,4174 | 0,3915 |
Standard-Verpackung: 100
Menge (Vielfache 1)
Hersteller:
UMW
Hersteller-Teilenummer:
IRFR8314TR RoHS
Gehäuse:
TO252 (DPACK) t/r
Auf Lager
50 stk.
| Anzahl Stück | 1+ | 5+ | 20+ | 100+ | 500+ |
| Nettopreis (EUR) | 0,9457 | 0,6297 | 0,5212 | 0,4693 | 0,4504 |
Standard-Verpackung: 100
Menge (Vielfache 1)
Symbol bearbeiten
Löschen in Verbindung mit dem Auftragnehmersymbol
Symbol hinzufügen
Abbrechen
Alle Auftragnehmer-Symbole