IRFR8314TR UMW

Symbol Micros: TIRFR8314 UMW
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Gehäuse: TO252 (DPACK)
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 3,1mOhm; 179A; 125W; -55°C ~ 175°C Äquivalent: IRFR8314TRPBF; SP001565102;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 3,1mOhm
Max. Drainstrom: 179A
Maximaler Leistungsverlust: 125W
Gehäuse: TO252 (DPACK)
Hersteller: UMW
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: UMW Hersteller-Teilenummer: IRFR8314TR RoHS Gehäuse: TO252 (DPACK) t/r Datenblatt
Auf Lager:
50 stk.
Anzahl Stück 1+ 5+ 20+ 100+ 500+
Nettopreis (EUR) 0,9457 0,6297 0,5212 0,4693 0,4504
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Standard-Verpackung:
100
Widerstand im offenen Kanal: 3,1mOhm
Max. Drainstrom: 179A
Maximaler Leistungsverlust: 125W
Gehäuse: TO252 (DPACK)
Hersteller: UMW
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: SMD

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