IRFR9024N

Symbol Micros: TIRFR9024n
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO252 (DPACK)
P-MOSFET 8.8A 60V 42W 0.28Ω IRFR9024NPBF IRFR9026NTRPBF IRFR9024NTRPBF
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 175mOhm
Max. Drainstrom: 11A
Maximaler Leistungsverlust: 38W
Gehäuse: TO252 (DPACK)
Hersteller: Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung: 55V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRFR9024NTRPBF RoHS Gehäuse: TO252 (DPACK) t/r  
Auf Lager:
1046 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,5777 0,3663 0,2888 0,2630 0,2513
Standard-Verpackung:
2000
Widerstand im offenen Kanal: 175mOhm
Max. Drainstrom: 11A
Maximaler Leistungsverlust: 38W
Gehäuse: TO252 (DPACK)
Hersteller: Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung: 55V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Montage: SMD