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IRFR9024N HXY MOSFET

Name: TIRFR9024n HXY TIRFR9024n HXY
Brand: HXY MOSFET
SKU: TIRFR9024nHXY
Price: 0.1795 EUR
Availability: InStock

Symbol Micros: TIRFR9024n HXY

Gehäuse: TO252 (DPACK)

Datenblatt

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P-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 130 mOhm; 10A; 31,3 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: IRFR9024NPBF; IRFR9024NTRLPBF; IRFR9024NTRPBF; IRFR9024NTRRPBF; SP001550224; SP001557198; SP001557190; SP001552248;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	130mOhm
Max. Drainstrom:	10A
Maximaler Leistungsverlust:	31,3W
Gehäuse:	TO252 (DPACK)
Hersteller:	HXY MOSFET
Max. Drain-Source Spannung:	60V
Transistor-Typ:	P-MOSFET

Hersteller: HXY MOSFET Hersteller-Teilenummer: IRFR9024N RoHS 10P06. Gehäuse: TO252 (DPACK) t/r Datenblatt

Auf Lager:

150 stk.

Anzahl Stück	2+	10+	50+	200+	1000+
Nettopreis (EUR)	0,4499	0,2728	0,2091	0,1886	0,1795

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	130mOhm
Max. Drainstrom:	10A
Maximaler Leistungsverlust:	31,3W
Gehäuse:	TO252 (DPACK)
Hersteller:	HXY MOSFET
Max. Drain-Source Spannung:	60V
Transistor-Typ:	P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	20V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Montage:	SMD

Anzahl Stück	3+	20+	100+	500+	2000+
Nettopreis (EUR)	0,3661	0,2036	0,1606	0,1460	0,1412

Anzahl Stück	2+	10+	50+	200+	1000+
Nettopreis (EUR)	0,5623	0,3565	0,2800	0,2560	0,2441

IRFR9024N HXY MOSFET

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