IRFZ44N

Symbol Micros: TIRFZ44n
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220
N-MOSFET-Transistor; 55V; 20V; 17,5 mOhm; 49A; 94W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRFZ44NPBF; IRFZ 44 NPBF;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 17,5mOhm
Max. Drainstrom: 49A
Maximaler Leistungsverlust: 94W
Gehäuse: TO220
Hersteller: Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung: 55V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: International Rectifier Hersteller-Teilenummer: IRFZ44N RoHS Gehäuse: TO220 Datenblatt
Auf Lager:
8008 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,8686 0,5504 0,4355 0,3948 0,3781
Standard-Verpackung:
50/1000
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRFZ44NPBF Gehäuse: TO220  
Externes Lager:
4840 stk.
Anzahl Stück 1+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,3781
Standard-Verpackung:
1
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 17,5mOhm
Max. Drainstrom: 49A
Maximaler Leistungsverlust: 94W
Gehäuse: TO220
Hersteller: Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung: 55V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: THT
Ausführliche Beschreibung

Der Transistor IRFZ44N

Der Transistor IRFZ44N ist für die Durchsteckmontage vorgesehen. Er ist im beliebten TO220-Dreibein-Gehäuse eingekapselt. Der angereicherte N-Typ-Kanal macht ihn zum beliebtesten MOSFET-Typ. IRFZ44N-Transistors eignen sich für Signalverstärkung Schaltungen von ±20V (Gate-Source-Betriebsspannung). Die zulässige Drain-Strombelastung beträgt 49A bei Standardbedingungen. Dabei ist die Verlustleistung (bis zu 94W bei 25°C) zu berücksichtigen. Diese Erwärmung bewirkt, dass der Betriebsstrom des IRFZ44N-Transistors bei höheren Umgebungstemperaturen abnimmt (35A bei 100°C).