IRFZ44PBF VISHAY

Symbol Micros: TIRFZ44pbf
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220
N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 28mOhm; 50A; 150 W; -55 °C ~ 175 °C;

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Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 28mOhm
Max. Drainstrom: 50A
Maximaler Leistungsverlust: 150W
Gehäuse: TO220
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: Siliconix Hersteller-Teilenummer: IRFZ44 RoHS Gehäuse: TO220  
Auf Lager:
70 stk.
Anzahl Stück 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Nettopreis (EUR) 1,5513 1,2377 1,0599 0,9523 0,9125
Standard-Verpackung:
50/200
Hersteller: Vishay Hersteller-Teilenummer: IRFZ44PBF Gehäuse: TO220  
Externes Lager:
8500 stk.
Anzahl Stück 50+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,9125
Standard-Verpackung:
50
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Hersteller: Vishay Hersteller-Teilenummer: IRFZ44PBF Gehäuse: TO220  
Externes Lager:
1740 stk.
Anzahl Stück 50+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR) 0,9125
Standard-Verpackung:
50
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Widerstand im offenen Kanal: 28mOhm
Max. Drainstrom: 50A
Maximaler Leistungsverlust: 150W
Gehäuse: TO220
Hersteller: VISHAY
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: THT