IRL540
Symbol Micros:
TIRL540pbf
Gehäuse: TO220
N-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 10V; 110mOhm; 28A; 150 W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRL540PBF;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: | 110mOhm |
Max. Drainstrom: | 28A |
Maximaler Leistungsverlust: | 150W |
Gehäuse: | TO220 |
Hersteller: | Siliconix |
Max. Drain-Source Spannung: | 100V |
Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Hersteller: Siliconix
Hersteller-Teilenummer: IRL540 RoHS
Gehäuse: TO220
Auf Lager:
26 stk.
Anzahl Stück | 1+ | 5+ | 50+ | 100+ | 400+ |
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Nettopreis (EUR) | 1,1542 | 0,8084 | 0,6472 | 0,6285 | 0,6075 |
Widerstand im offenen Kanal: | 110mOhm |
Max. Drainstrom: | 28A |
Maximaler Leistungsverlust: | 150W |
Gehäuse: | TO220 |
Hersteller: | Siliconix |
Max. Drain-Source Spannung: | 100V |
Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Max. Gate-Source Spannung: | 10V |
Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 175°C |
Montage: | THT |
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