IRL540N UMW

Symbol Micros: TIRL540 UMW
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220
N-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 28mOhm; 30A; 75W; -55°C ~ 175°C; Äquivalent: IRL540PBF; IRL540NPBF; SP001576440;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 28mOhm
Max. Drainstrom: 30A
Maximaler Leistungsverlust: 75W
Gehäuse: TO220
Hersteller: UMW
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: UMW Hersteller-Teilenummer: IRL540N RoHS Gehäuse: TO220 Datenblatt
Auf Lager:
10 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 50+ 100+ 400+
Nettopreis (EUR) 0,8341 0,5234 0,4089 0,3855 0,3621
Standard-Verpackung:
50/100
Widerstand im offenen Kanal: 28mOhm
Max. Drainstrom: 30A
Maximaler Leistungsverlust: 75W
Gehäuse: TO220
Hersteller: UMW
Max. Drain-Source Spannung: 100V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: THT