IRLML0030TRPBF

Symbol Micros: TIRLML0030tr
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23
Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen
N-MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 40mOhm; 5,3A; 1,3 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: IRLML0030TRPBF; IRLML0030PBF; IRLML0030PBF-GURT; IRLML0030; IRLML0030TR; IRLML0030TRPBF;

Haben Sie Fragen? Wir beantworten Sie gerne.
Schreiben Sie an sales // micros.com.pl oder rufen Sie an: +48 785 054 437
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 40mOhm
Max. Drainstrom: 5,3A
Maximaler Leistungsverlust: 1,3W
Gehäuse: SOT23t/r
Hersteller: Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRLML0030TR RoHS Gehäuse: SOT23t/r  
Auf Lager:
38721 stk.
Anzahl Stück 3+ 20+ 100+ 300+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,2500 0,1322 0,1026 0,0946 0,0907
Zum Vergleichstool hinzufügen
Standard-Verpackung:
3000/75000
Widerstand im offenen Kanal: 40mOhm
Max. Drainstrom: 5,3A
Maximaler Leistungsverlust: 1,3W
Gehäuse: SOT23t/r
Hersteller: Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Montage: SMD

Symbol Micros

Bauunternehmer-Symbol

Weiteres Auftragnehmersymbol hinzufügen

Abbrechen Löschen Sie Alle Auftragnehmer-Symbole

Symbol hinzufügen


Symbol Micros

Bauunternehmer-Symbol

Weiteres Auftragnehmersymbol hinzufügen

Abbrechen Alle Auftragnehmer-Symbole