IRLML0030TRPBF
Symbol Micros:
TIRLML0030tr
Gehäuse: SOT23
N-MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 40mOhm; 5,3A; 1,3 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: IRLML0030TRPBF; IRLML0030PBF; IRLML0030PBF-GURT; IRLML0030; IRLML0030TR; IRLML0030TRPBF;
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Parameter
Widerstand im offenen Kanal: | 40mOhm |
Max. Drainstrom: | 5,3A |
Maximaler Leistungsverlust: | 1,3W |
Gehäuse: | SOT23t/r |
Hersteller: | Infineon (IRF) |
Max. Drain-Source Spannung: | 30V |
Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: IRLML0030TR RoHS
Gehäuse: SOT23t/r
Auf Lager:
38721 stk.
Anzahl Stück | 3+ | 20+ | 100+ | 300+ | 1000+ |
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Nettopreis (EUR) | 0,2500 | 0,1322 | 0,1026 | 0,0946 | 0,0907 |
Widerstand im offenen Kanal: | 40mOhm |
Max. Drainstrom: | 5,3A |
Maximaler Leistungsverlust: | 1,3W |
Gehäuse: | SOT23t/r |
Hersteller: | Infineon (IRF) |
Max. Drain-Source Spannung: | 30V |
Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
Montage: | SMD |
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