IRLML0030TRPBF JGSEMI

Symbol Micros: TIRLML0030tr JGS
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Gehäuse: SOT23
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 40mOhm; 6A; 1,4 W; -55 °C ~ 125 °C Äquivalent: IRLML0030TRPBF; SP001568604;

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Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 40mOhm
Max. Drainstrom: 6A
Maximaler Leistungsverlust: 1,4W
Gehäuse: SOT23
Hersteller: JGSEMI
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: JGSEMI Hersteller-Teilenummer: IRLML0030TRPBF RoHS Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt
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3000 stk.
Anzahl Stück 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
Nettopreis (EUR) 0,1993 0,0946 0,0533 0,0404 0,0362
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Standard-Verpackung:
3000
Widerstand im offenen Kanal: 40mOhm
Max. Drainstrom: 6A
Maximaler Leistungsverlust: 1,4W
Gehäuse: SOT23
Hersteller: JGSEMI
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 125°C
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Montage: SMD

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