IRLML2803

Symbol Micros: TIRLML2803

Gehäuse: SOT23

N-MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 400 mOhm; 1,2A; 540 mW; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: IRLML2803TRPBF; IRLML2803PBF; IRLML2803GTRPBF;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	400mOhm
Max. Drainstrom:	1,2A
Maximaler Leistungsverlust:	540mW
Gehäuse:	SOT23
Hersteller:	Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung:	30V
Transistor-Typ:	N-MOSFET

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRLML2803TR RoHS Gehäuse: SOT23t/r

Auf Lager:

3217 stk.

Anzahl Stück	3+	20+	100+	300+	1000+
Nettopreis (EUR)	0,2728	0,1453	0,1127	0,1039	0,0995

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRLML2803TRPBF Gehäuse: SOT23

Externes Lager:

834000 stk.

Anzahl Stück	3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,0995

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRLML2803TRPBF Gehäuse: SOT23

Externes Lager:

24600 stk.

Anzahl Stück	100+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,0995

Widerstand im offenen Kanal:	400mOhm
Max. Drainstrom:	1,2A
Maximaler Leistungsverlust:	540mW
Gehäuse:	SOT23
Hersteller:	Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung:	30V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	20V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Montage:	SMD

Anzahl Stück	5+	20+	100+	500+	2000+
Nettopreis (EUR)	0,2608	0,1323	0,0797	0,0629	0,0581