IRLML2803TR UMW

Symbol Micros: TIRLML2803 UMW
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 400 mOhm; 1,2A; 540 mW; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: IRLML2803GTRPBF; IRLML2803TRPBF; SP001550482; SP001572964; SP001558316;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 400mOhm
Max. Drainstrom: 1,2A
Maximaler Leistungsverlust: 540mW
Gehäuse: SOT23
Hersteller: UMW
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: UMW Hersteller-Teilenummer: IRLML2803TR RoHS Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt
Auf Lager:
440 stk.
Anzahl Stück 5+ 20+ 100+ 500+ 2000+
Nettopreis (EUR) 0,2608 0,1323 0,0797 0,0629 0,0581
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Standard-Verpackung:
500
Widerstand im offenen Kanal: 400mOhm
Max. Drainstrom: 1,2A
Maximaler Leistungsverlust: 540mW
Gehäuse: SOT23
Hersteller: UMW
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

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