IRLR2905 smd
Symbol Micros:
TIRLR2905
Gehäuse: TO252 (DPACK)
N-MOSFET-Transistor; 55V; 16V; 40mOhm; 42A; 110 W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRLR2905PBF; IRLR2905TRPBF; IRLR2905PBF-GURT; IRLR2905TRLPBF;
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Parameter
Widerstand im offenen Kanal: | 40mOhm |
Max. Drainstrom: | 42A |
Maximaler Leistungsverlust: | 110W |
Gehäuse: | TO252 (DPACK) |
Hersteller: | Infineon (IRF) |
Max. Drain-Source Spannung: | 55V |
Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: IRLR2905TR RoHS
Gehäuse: TO252 (DPACK) t/r
Auf Lager:
866 stk.
Anzahl Stück | 1+ | 5+ | 20+ | 100+ | 500+ |
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Nettopreis (EUR) | 0,9352 | 0,6211 | 0,5156 | 0,4641 | 0,4453 |
Widerstand im offenen Kanal: | 40mOhm |
Max. Drainstrom: | 42A |
Maximaler Leistungsverlust: | 110W |
Gehäuse: | TO252 (DPACK) |
Hersteller: | Infineon (IRF) |
Max. Drain-Source Spannung: | 55V |
Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 175°C |
Max. Gate-Source Spannung: | 16V |
Montage: | SMD |
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