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IRLR2905PBF HXY MOSFET

Name: TIRLR2905 HXY TIRLR2905 HXY
Brand: HXY MOSFET
SKU: TIRLR2905HXY
Price: 0.1852 EUR
Availability: InStock

Symbol Micros: TIRLR2905 HXY

Gehäuse: TO252 (DPACK)

Datenblatt

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N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 38mOhm; 30A; 34,7 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: IRLR2905PBF; IRLR2905TRLPBF; IRLR2905TRPBF; IRLR2905TRRPBF; SP001572902; SP001569030; SP001558410; SP001558420;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	38mOhm
Max. Drainstrom:	30A
Maximaler Leistungsverlust:	34,7W
Gehäuse:	TO252 (DPACK)
Hersteller:	HXY MOSFET
Max. Drain-Source Spannung:	60V
Transistor-Typ:	N-MOSFET

Hersteller: HXY MOSFET Hersteller-Teilenummer: IRLR2905PBF RoHS Gehäuse: TO252 (DPACK) t/r Datenblatt

Auf Lager:

165 stk.

Anzahl Stück	2+	10+	50+	200+	1000+
Nettopreis (EUR)	0,4643	0,2814	0,2157	0,1946	0,1852

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	38mOhm
Max. Drainstrom:	30A
Maximaler Leistungsverlust:	34,7W
Gehäuse:	TO252 (DPACK)
Hersteller:	HXY MOSFET
Max. Drain-Source Spannung:	60V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	20V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Montage:	SMD

Anzahl Stück	1+	5+	20+	100+	500+
Nettopreis (EUR)	0,9356	0,6214	0,5159	0,4643	0,4455

Anzahl Stück	2+	10+	50+	200+	1000+
Nettopreis (EUR)	0,4995	0,3025	0,2321	0,2094	0,1993

IRLR2905PBF HXY MOSFET

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