IRLR2905PBF HXY MOSFET
Symbol Micros:
TIRLR2905 HXY
Gehäuse: TO252 (DPACK)
N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 38mOhm; 30A; 34,7 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: IRLR2905PBF; IRLR2905TRLPBF; IRLR2905TRPBF; IRLR2905TRRPBF; SP001572902; SP001569030; SP001558410; SP001558420;
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Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 38mOhm |
| Max. Drainstrom: | 30A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 34,7W |
| Gehäuse: | TO252 (DPACK) |
| Hersteller: | HXY MOSFET |
| Max. Drain-Source Spannung: | 60V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Widerstand im offenen Kanal: | 38mOhm |
| Max. Drainstrom: | 30A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 34,7W |
| Gehäuse: | TO252 (DPACK) |
| Hersteller: | HXY MOSFET |
| Max. Drain-Source Spannung: | 60V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
| Montage: | SMD |
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