IRLR2905PBF HXY MOSFET

Symbol Micros: TIRLR2905 HXY
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO252 (DPACK)
N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 38mOhm; 30A; 34,7 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: IRLR2905PBF; IRLR2905TRLPBF; IRLR2905TRPBF; IRLR2905TRRPBF; SP001572902; SP001569030; SP001558410; SP001558420;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 38mOhm
Max. Drainstrom: 30A
Maximaler Leistungsverlust: 34,7W
Gehäuse: TO252 (DPACK)
Hersteller: HXY MOSFET
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: HXY MOSFET Hersteller-Teilenummer: IRLR2905PBF RoHS Gehäuse: TO252 (DPACK) t/r Datenblatt
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165 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,4610 0,2794 0,2142 0,1933 0,1840
Standard-Verpackung:
200
Widerstand im offenen Kanal: 38mOhm
Max. Drainstrom: 30A
Maximaler Leistungsverlust: 34,7W
Gehäuse: TO252 (DPACK)
Hersteller: HXY MOSFET
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD