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IRLR7843TRPBF HXY MOSFET

Name: TIRLR7843 HXY TIRLR7843 HXY
Brand: HXY MOSFET
SKU: TIRLR7843HXY
Price: 0.4041 EUR
Availability: InStock

Symbol Micros: TIRLR7843 HXY

Gehäuse: TO252 (DPACK)

Datenblatt

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N-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 5,5mOhm; 120A; 62,5W; -55°C ~ 150°C; Äquivalent: IRLR7843PBF; IRLR7843TRLPBF; IRLR7843TRPBF; IRLR7843TRRPBF; SP001567348; SP001558496; SP001569090; SP001553240;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	5,5mOhm
Max. Drainstrom:	120A
Maximaler Leistungsverlust:	62,5W
Gehäuse:	TO252 (DPACK)
Hersteller:	HXY MOSFET
Max. Drain-Source Spannung:	30V
Transistor-Typ:	N-MOSFET

Hersteller: HXY MOSFET Hersteller-Teilenummer: IRLR7843TRPBF RoHS Gehäuse: TO252 (DPACK) t/r Datenblatt

Auf Lager:

100 stk.

Anzahl Stück	2+	10+	30+	100+	400+
Nettopreis (EUR)	0,9302	0,5835	0,4854	0,4304	0,4041

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	5,5mOhm
Max. Drainstrom:	120A
Maximaler Leistungsverlust:	62,5W
Gehäuse:	TO252 (DPACK)
Hersteller:	HXY MOSFET
Max. Drain-Source Spannung:	30V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	20V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Montage:	SMD

Anzahl Stück	2+	10+	50+	200+	1000+
Nettopreis (EUR)	0,6767	0,4280	0,3372	0,3085	0,2941

Anzahl Stück	1+	3+	10+	50+	200+
Nettopreis (EUR)	0,9494	0,6959	0,5596	0,4783	0,4520

Anzahl Stück	2+	10+	30+	100+	400+
Nettopreis (EUR)	0,8800	0,5524	0,4591	0,4089	0,3826

IRLR7843TRPBF HXY MOSFET

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