IRLR7843TRPBF JSMICRO

Symbol Micros: TIRLR7843 JSM
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO252 (DPACK)
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 6,5mOhm; 150A; 108W; -55°C ~ 150°C; Äquivalent: IRLR7843PBF; IRLR7843TRLPBF; IRLR7843TRPBF; IRLR7843TRRPBF; SP001567348; SP001558496; SP001569090; SP001553240;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 6,5mOhm
Max. Drainstrom: 150A
Maximaler Leistungsverlust: 108W
Gehäuse: TO252 (DPACK)
Hersteller: JSMICRO
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: JSMicro Semiconductor Hersteller-Teilenummer: IRLR7843TRPBF RoHS Gehäuse: TO252 (DPACK) t/r Datenblatt
Auf Lager:
50 stk.
Anzahl Stück 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Nettopreis (EUR) 0,9494 0,6959 0,5596 0,4783 0,4520
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Standard-Verpackung:
50
Widerstand im offenen Kanal: 6,5mOhm
Max. Drainstrom: 150A
Maximaler Leistungsverlust: 108W
Gehäuse: TO252 (DPACK)
Hersteller: JSMICRO
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: SMD

Symbol Micros

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