MJE350G JSMICRO

Symbol Micros: TMJE350 JSM
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO126
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Transistor PNP; 240; 20W; 300V; 500mA; -65°C ~ 150°C; Transistor PNP; 240; 20W; 300V; 500mA; -65°C ~ 150°C;

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Parameter
Verlustleistung: 20W
Stromverstärkungsfaktor: 240
Hersteller: JSMICRO
Gehäuse: TO126
Max. Kollektor-Strom [A]: 500mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 300V
Betriebstemperatur (Bereich): -65°C ~ 150°C
Hersteller: JSMicro Semiconductor Hersteller-Teilenummer: MJE350G RoHS Gehäuse: TO126 Datenblatt
Auf Lager:
100 stk.
Anzahl Stück 3+ 10+ 50+ 200+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,4131 0,2715 0,1942 0,1699 0,1592
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Standard-Verpackung:
200
Verlustleistung: 20W
Stromverstärkungsfaktor: 240
Hersteller: JSMICRO
Gehäuse: TO126
Max. Kollektor-Strom [A]: 500mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 300V
Betriebstemperatur (Bereich): -65°C ~ 150°C
Transistor-Typ: PNP

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