MJE350G ONS
Symbol Micros:
TMJE350g ONS
Gehäuse: TO225 (=TO126-3)
Transistor GP BJT PNP 300V 0.5A 20000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Transistor GP BJT PNP 300V 0.5A 20000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225
Haben Sie Fragen? Wir beantworten Sie gerne.
Schreiben Sie an sales // micros.com.pl oder rufen Sie an: +48 785 054 437
Parameter
Verlustleistung: | 20W |
Stromverstärkungsfaktor: | 240 |
Hersteller: | ON SEMICONDUCTOR |
Gehäuse: | TO225 (=TO126-3) |
Max. Kollektor-Strom [A]: | 500mA |
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: | 300V |
Betriebstemperatur (Bereich): | -65°C ~ 150°C |
Verlustleistung: | 20W |
Stromverstärkungsfaktor: | 240 |
Hersteller: | ON SEMICONDUCTOR |
Gehäuse: | TO225 (=TO126-3) |
Max. Kollektor-Strom [A]: | 500mA |
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: | 300V |
Betriebstemperatur (Bereich): | -65°C ~ 150°C |
Transistor-Typ: | PNP |
Symbol bearbeiten
Löschen in Verbindung mit dem Auftragnehmersymbol
Symbol hinzufügen
Abbrechen
Alle Auftragnehmer-Symbole