MJE350G ONS
Symbol Micros:
TMJE350g ONS
Gehäuse: TO225 (=TO126-3)
Transistor GP BJT PNP 300V 0.5A 20000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Transistor GP BJT PNP 300V 0.5A 20000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225
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Parameter
Verlustleistung: | 20W |
Stromverstärkungsfaktor: | 240 |
Hersteller: | ON SEMICONDUCTOR |
Gehäuse: | TO225 (=TO126-3) |
Max. Kollektor-Strom [A]: | 500mA |
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: | 300V |
Betriebstemperatur (Bereich): | -65°C ~ 150°C |
Hersteller: ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer: MJE350G RoHS
Gehäuse: TO225 (=TO126-3)
Datenblatt
Auf Lager:
160 stk.
Anzahl Stück | 2+ | 10+ | 50+ | 200+ | 500+ |
---|---|---|---|---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,7426 | 0,4665 | 0,3667 | 0,3342 | 0,3226 |
Hersteller: ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer: MJE350G
Gehäuse: TO225 (=TO126-3)
Externes Lager:
13159 stk.
Anzahl Stück | 1+ (Falsche Menge? Bitten Sie um eine andere Menge.) |
---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,3226 |
Hersteller: ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer: MJE350G
Gehäuse: TO225 (=TO126-3)
Externes Lager:
1079 stk.
Anzahl Stück | 500+ (Falsche Menge? Bitten Sie um eine andere Menge.) |
---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,3259 |
Verlustleistung: | 20W |
Stromverstärkungsfaktor: | 240 |
Hersteller: | ON SEMICONDUCTOR |
Gehäuse: | TO225 (=TO126-3) |
Max. Kollektor-Strom [A]: | 500mA |
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: | 300V |
Betriebstemperatur (Bereich): | -65°C ~ 150°C |
Transistor-Typ: | PNP |
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