MJE350G ONS

Symbol Micros: TMJE350g ONS
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO225 (=TO126-3)
Transistor GP BJT PNP 300V 0.5A 20000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225 Transistor GP BJT PNP 300V 0.5A 20000mW 3-Pin(3+Tab) TO-225

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Parameter
Verlustleistung: 20W
Stromverstärkungsfaktor: 240
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Gehäuse: TO225 (=TO126-3)
Max. Kollektor-Strom [A]: 500mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 300V
Betriebstemperatur (Bereich): -65°C ~ 150°C
Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: MJE350G RoHS Gehäuse: TO225 (=TO126-3) Datenblatt
Auf Lager:
160 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 50+ 200+ 500+
Nettopreis (EUR) 0,7491 0,4705 0,3699 0,3371 0,3254
Standard-Verpackung:
500
Verlustleistung: 20W
Stromverstärkungsfaktor: 240
Hersteller: ON SEMICONDUCTOR
Gehäuse: TO225 (=TO126-3)
Max. Kollektor-Strom [A]: 500mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 300V
Betriebstemperatur (Bereich): -65°C ~ 150°C
Transistor-Typ: PNP