OIN Opt101p

Symbol Micros: OIN Opt101p

Gehäuse: PDIP08

IR-Emissionsdiode DIP8; 450 mW; 450mA; 5V; Temperaturen: Arbeit 0°C +70°C, Lagerung -25°C +85°C;

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Schreiben Sie an sales // micros.com.pl oder rufen Sie an: +48 785 054 437

Parameter

Hersteller:	Texas Instruments
Montage:	THT
Vorwärtsstrom:	450mA
Optische Leistung:	450mW
Wellenlänge:	650nm
Betriebstemperatur (Bereich):	0°C ~ 70°C

Hersteller:	Texas Instruments
Montage:	THT
Vorwärtsstrom:	450mA
Optische Leistung:	450mW
Wellenlänge:	650nm
Betriebstemperatur (Bereich):	0°C ~ 70°C