EL357N(C)(TA) 4SMD
Symbol Micros:
OOPC357n3t EVL
Gehäuse: SOIC04
single CTR 200-400% Vce 80V Uiso 3,75kV NPN Phototransistor
Parameter
| Klickrate (CTR): | 200-400% |
| Gehäuse: | SOIC04 |
| Ausgang-Typ: | NPN Phototransistor |
| Isolationsspannung: | 3750V |
| Ausgangsspannung: | 80V |
Artikel in der Lieferung
Geplantes Datum:
2024-09-30
Anzahl Stück: 21000
| Klickrate (CTR): | 200-400% |
| Gehäuse: | SOIC04 |
| Ausgang-Typ: | NPN Phototransistor |
| Isolationsspannung: | 3750V |
| Ausgangsspannung: | 80V |
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Standard-Verpackung: 450
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