EL357C UMW

Symbol Micros: OOPC357n3t UMW
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Gehäuse: SOP04
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Einzel-CTR 200-400 % Vce 35 V Uiso 3,75 kV NPN-Fototransistor Äquivalent: LTV-357T-C; EL357N(C)(TA)-G; PC357N3J000F;

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Parameter
Klickrate (CTR): 200-400%
Gehäuse: SOP04
Ausgang-Typ: NPN Phototransistor
Isolationsspannung: 3750V
Ausgangsspannung: 35V
Hersteller: UMW Hersteller-Teilenummer: EL357C RoHS Gehäuse: SOP04 t/r Datenblatt
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1000 stk.
Anzahl Stück 5+ 20+ 100+ 300+ 1000+
Nettopreis (EUR) 0,2487 0,1246 0,0741 0,0615 0,0553
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Standard-Verpackung:
1000
Klickrate (CTR): 200-400%
Gehäuse: SOP04
Ausgang-Typ: NPN Phototransistor
Isolationsspannung: 3750V
Ausgangsspannung: 35V

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