817B UMW

Symbol Micros: OOPC817b UMW
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse:  
Einzel CTR 130-260 % Vce 35 V Uiso 5,0 kV NPN-Fototransistor Ersatz für: LTV-817-B, EL817(B), EL817(B)-F, PC817X2NSZ9F, FOD817B

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Parameter
Klickrate (CTR): 130-260%
Gehäuse: PDIP04
Ausgang-Typ: NPN Phototransistor
Isolationsspannung: 5000V
Ausgangsspannung: 35V
Hersteller: UMW Hersteller-Teilenummer: 817B RoHS Gehäuse: PDIP04 Datenblatt
Auf Lager:
300 stk.
Anzahl Stück 5+ 20+ 100+ 500+ 2000+
Nettopreis (EUR) 0,1495 0,0708 0,0395 0,0299 0,0272
Standard-Verpackung:
100/1000
Klickrate (CTR): 130-260%
Gehäuse: PDIP04
Ausgang-Typ: NPN Phototransistor
Isolationsspannung: 5000V
Ausgangsspannung: 35V