PC817SB GALAXY

Symbol Micros: OOPC817bltvs GAL
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: PDIP04smd
Einzel CTR 130-260 % Vce 80 V Uiso 5,0 kV NPN-Fototransistor Ersatz für: LTV-817S-B, EL817S(B), EL817S1(B)(TU)-F, FOD817BS, FOD817BSD

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Parameter
Klickrate (CTR): 130-260%
Gehäuse: PDIP04smd
Ausgang-Typ: NPN Phototransistor
Isolationsspannung: 5000V
Ausgangsspannung: 80V
Hersteller: GALAXY Hersteller-Teilenummer: PC817SB RoHS Gehäuse: PDIP04smd Datenblatt
Auf Lager:
500 stk.
Anzahl Stück 5+ 20+ 100+ 500+ 2000+
Nettopreis (EUR) 0,2601 0,1317 0,0795 0,0628 0,0579
Standard-Verpackung:
500
Klickrate (CTR): 130-260%
Gehäuse: PDIP04smd
Ausgang-Typ: NPN Phototransistor
Isolationsspannung: 5000V
Ausgangsspannung: 80V