2N5551

Symbol Micros: T2N5551
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO92
NPN 600mA 160V 625mW NPN 600mA 160V 625mW

Haben Sie Fragen? Wir beantworten Sie gerne.
Schreiben Sie an sales // micros.com.pl oder rufen Sie an: +48 785 054 437

Parameter
Verlustleistung: 630mW
Grenzfrequenz: 300MHz
Stromverstärkungsfaktor: 250
Hersteller: DISCRETE SEMICONDUCTORS
Gehäuse: TO92
Max. Kollektor-Strom [A]: 300mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 160V
Hersteller: MIC Hersteller-Teilenummer: 2N5551 RoHS Gehäuse: TO92bul  
Auf Lager:
5000 stk.
Anzahl Stück 10+ 50+ 200+ 1000+ 5000+
Nettopreis (EUR) 0,0850 0,0336 0,0198 0,0146 0,0131
Standard-Verpackung:
1000/5000
Hersteller: DIOTEC Hersteller-Teilenummer: 2N5551 Gehäuse: TO92  
Externes Lager:
4000 stk.
Anzahl Stück 4000+ (Falsche Menge? Bitten Sie um eine andere Menge.)
Nettopreis (EUR) 0,0142
Standard-Verpackung:
4000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: 2N5551TA Gehäuse: TO92  
Externes Lager:
16000 stk.
Anzahl Stück 1+ (Falsche Menge? Bitten Sie um eine andere Menge.)
Nettopreis (EUR) 0,0339
Standard-Verpackung:
2000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
Hersteller: ON-Semicoductor Hersteller-Teilenummer: 2N5551TA Gehäuse: TO92  
Externes Lager:
12000 stk.
Anzahl Stück 2000+ (Falsche Menge? Bitten Sie um eine andere Menge.)
Nettopreis (EUR) 0,0355
Standard-Verpackung:
2000
Lieferung innerhalb von 4-7 Werktagen.
Der Mindestbestellwert muss
20 Euro überschreiten.
         
 
Artikel in der Lieferung
Geplantes Datum:
2024-12-30
Anzahl Stück: 1000
Verlustleistung: 630mW
Grenzfrequenz: 300MHz
Stromverstärkungsfaktor: 250
Hersteller: DISCRETE SEMICONDUCTORS
Gehäuse: TO92
Max. Kollektor-Strom [A]: 300mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 160V
Betriebstemperatur (Bereich): -65°C ~ 150°C
Transistor-Typ: NPN