2N5551

Symbol Micros: T2N5551
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO92
NPN 600mA 160V 625mW NPN 600mA 160V 625mW

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Parameter
Verlustleistung: 630mW
Stromverstärkungsfaktor: 250
Hersteller: DISCRETE SEMICONDUCTORS
Grenzfrequenz: 300MHz
Gehäuse: TO92
Max. Kollektor-Strom [A]: 300mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 160V
Hersteller: MIC Hersteller-Teilenummer: 2N5551 RoHS Gehäuse: TO92bul  
Auf Lager:
5000 stk.
Anzahl Stück 10+ 50+ 200+ 1000+ 5000+
Nettopreis (EUR) 0,0864 0,0342 0,0202 0,0149 0,0133
Standard-Verpackung:
1000/5000
Hersteller: HOTTECH Hersteller-Teilenummer: 2N5551 RoHS Gehäuse: TO92bul  
Auf Lager:
0 stk.
Anzahl Stück 10+ 50+ 200+ 1000+ 5000+
Nettopreis (EUR) 0,0864 0,0342 0,0202 0,0149 0,0133
Standard-Verpackung:
1000/10000
         
 
Artikel in der Lieferung
Geplantes Datum:
2024-10-15
Anzahl Stück: 1000
Verlustleistung: 630mW
Stromverstärkungsfaktor: 250
Hersteller: DISCRETE SEMICONDUCTORS
Grenzfrequenz: 300MHz
Gehäuse: TO92
Max. Kollektor-Strom [A]: 300mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 160V
Betriebstemperatur (Bereich): -65°C ~ 150°C
Transistor-Typ: NPN