AOI4185
Symbol Micros:
TAOI4185
Gehäuse: TO251A
P-Channel-MOSFET-Transistor; 40V; 20V; 23mOhm; 40A; 62,5 W; -55 °C ~ 175 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: | 23mOhm |
Max. Drainstrom: | 40A |
Maximaler Leistungsverlust: | 62,5W |
Gehäuse: | TO251A |
Hersteller: | ALPHA&OMEGA |
Max. Drain-Source Spannung: | 40V |
Transistor-Typ: | P-MOSFET |
Hersteller: ALPHA&OMEGA
Hersteller-Teilenummer: AOI4185 RoHS
Gehäuse: TO251A
Auf Lager:
70 stk.
Anzahl Stück | 2+ | 5+ | 20+ | 70+ | 280+ |
---|---|---|---|---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,7473 | 0,5534 | 0,4087 | 0,3526 | 0,3246 |
Hersteller: ALPHA&OMEGA
Hersteller-Teilenummer: AOI4185 RoHS
Gehäuse: TO251A
Auf Lager:
30 stk.
Anzahl Stück | 2+ | 10+ | 30+ | 90+ | 300+ |
---|---|---|---|---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,7473 | 0,4670 | 0,3853 | 0,3456 | 0,3246 |
Widerstand im offenen Kanal: | 23mOhm |
Max. Drainstrom: | 40A |
Maximaler Leistungsverlust: | 62,5W |
Gehäuse: | TO251A |
Hersteller: | ALPHA&OMEGA |
Max. Drain-Source Spannung: | 40V |
Transistor-Typ: | P-MOSFET |
Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 175°C |
Montage: | THT |
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