AOI4185

Symbol Micros: TAOI4185
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO251A
P-Channel-MOSFET-Transistor; 40V; 20V; 23mOhm; 40A; 62,5 W; -55 °C ~ 175 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 23mOhm
Max. Drainstrom: 40A
Maximaler Leistungsverlust: 62,5W
Gehäuse: TO251A
Hersteller: ALPHA&OMEGA
Max. Drain-Source Spannung: 40V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Hersteller: ALPHA&OMEGA Hersteller-Teilenummer: AOI4185 RoHS Gehäuse: TO251A  
Auf Lager:
70 stk.
Anzahl Stück 2+ 5+ 20+ 70+ 280+
Nettopreis (EUR) 0,7473 0,5534 0,4087 0,3526 0,3246
Standard-Verpackung:
70
Hersteller: ALPHA&OMEGA Hersteller-Teilenummer: AOI4185 RoHS Gehäuse: TO251A  
Auf Lager:
30 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 30+ 90+ 300+
Nettopreis (EUR) 0,7473 0,4670 0,3853 0,3456 0,3246
Standard-Verpackung:
30
Widerstand im offenen Kanal: 23mOhm
Max. Drainstrom: 40A
Maximaler Leistungsverlust: 62,5W
Gehäuse: TO251A
Hersteller: ALPHA&OMEGA
Max. Drain-Source Spannung: 40V
Transistor-Typ: P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: THT