AP2311GN-HF-3 APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP
Symbol Micros:
TAP2311gn-hf-3
Gehäuse: SOT23
P-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 300 mOhm; 1,8A; 1,38 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: AP2311GN; AP2311GH-HF; AP2311GN-HF-3; AP2311GN-HF-VB; AP2311GN-VB;
Haben Sie Fragen? Wir beantworten Sie gerne.
Schreiben Sie an sales // micros.com.pl oder rufen Sie an: +48 785 054 437
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 300mOhm |
| Max. Drainstrom: | 1,8A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 1,38W |
| Gehäuse: | SOT23 |
| Hersteller: | Advanced Power Electronics Corp. |
| Max. Drain-Source Spannung: | 60V |
| Transistor-Typ: | P-MOSFET |
Hersteller: Advanced Power Electronics Corp.
Hersteller-Teilenummer: AP2311GN-HF-3 Pbf B22D
Gehäuse: SOT23t/r
Datenblatt
Auf Lager:
0 stk.
| Anzahl Stück | 3+ | 20+ | 100+ | 300+ | 1000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,2836 | 0,1505 | 0,1167 | 0,1076 | 0,1031 |
| Widerstand im offenen Kanal: | 300mOhm |
| Max. Drainstrom: | 1,8A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 1,38W |
| Gehäuse: | SOT23 |
| Hersteller: | Advanced Power Electronics Corp. |
| Max. Drain-Source Spannung: | 60V |
| Transistor-Typ: | P-MOSFET |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
| Montage: | SMD |
Ähnliche Produkte
Hersteller:
JGSEMI
Hersteller-Teilenummer:
AP2311GN RoHS
Gehäuse:
SOT23t/r
Auf Lager
200 stk.
| Anzahl Stück | 5+ | 20+ | 100+ | 500+ | 2000+ |
| Nettopreis (EUR) | 0,2625 | 0,1327 | 0,0802 | 0,0633 | 0,0584 |
Standard-Verpackung: 500
Menge (Vielfache 1)
Symbol bearbeiten
Löschen in Verbindung mit dem Auftragnehmersymbol
Symbol hinzufügen
Abbrechen
Alle Auftragnehmer-Symbole