AP2311GN-HF-3 APEC ADVANCED POWER ELECTRONICS CORP
Symbol Micros:
TAP2311gn-hf-3
Gehäuse: SOT23
P-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 300 mOhm; 1,8A; 1,38 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: AP2311GN; AP2311GH-HF; AP2311GN-HF-3; AP2311GN-HF-VB; AP2311GN-VB;
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Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 300mOhm |
| Max. Drainstrom: | 1,8A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 1,38W |
| Gehäuse: | SOT23 |
| Hersteller: | Advanced Power Electronics Corp. |
| Max. Drain-Source Spannung: | 60V |
| Transistor-Typ: | P-MOSFET |
Hersteller: Advanced Power Electronics Corp.
Hersteller-Teilenummer: AP2311GN-HF-3 Pbf B22D
Gehäuse: SOT23t/r
Datenblatt
Auf Lager:
0 stk.
| Anzahl Stück | 3+ | 20+ | 100+ | 300+ | 1000+ |
|---|---|---|---|---|---|
| Nettopreis (EUR) | 0,2842 | 0,1508 | 0,1170 | 0,1078 | 0,1034 |
| Widerstand im offenen Kanal: | 300mOhm |
| Max. Drainstrom: | 1,8A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 1,38W |
| Gehäuse: | SOT23 |
| Hersteller: | Advanced Power Electronics Corp. |
| Max. Drain-Source Spannung: | 60V |
| Transistor-Typ: | P-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Montage: | SMD |
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Auf Lager
200 stk.
| Anzahl Stück | 5+ | 20+ | 100+ | 500+ | 2000+ |
| Nettopreis (EUR) | 0,2631 | 0,1330 | 0,0803 | 0,0634 | 0,0585 |
Standard-Verpackung: 500
Menge (Vielfache 1)
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