BC807-40,215

Symbol Micros: TBC80740
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23
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Transistor PNP; 600; 250mW; 45V; 500mA; 80MHz; -65°C ~ 150°C; Transistor PNP; 600; 250mW; 45V; 500mA; 80MHz; -65°C ~ 150°C;
Parameter
Verlustleistung: 250mW
Stromverstärkungsfaktor: 600
Grenzfrequenz: 80MHz
Hersteller: NXP
Gehäuse: SOT23
Max. Kollektor-Strom [A]: 500mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 45V
Hersteller: NXP Hersteller-Teilenummer: BC807-40,215 RoHS Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt
Auf Lager:
202449 stk.
Anzahl Stück 5+ 20+ 100+ 500+ 3000+
Nettopreis (EUR) 0,1049 0,0480 0,0261 0,0196 0,0175
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Standard-Verpackung:
3000
Verlustleistung: 250mW
Stromverstärkungsfaktor: 600
Grenzfrequenz: 80MHz
Hersteller: NXP
Gehäuse: SOT23
Max. Kollektor-Strom [A]: 500mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 45V
Betriebstemperatur (Bereich): -65°C ~ 150°C
Transistor-Typ: PNP
Ausführliche Beschreibung

Transistor type: PNP
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 45V
Collector current: 500mA
Power: 250mW
Case: SOT23
Mounting: SMD

Symbol Micros

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