BC817-25 MLCCBASE

Symbol Micros: TBC81725 MLC
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Gehäuse: SOT23
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Transistor NPN; 400; 300mW; 45V; 500mA; 100MHz; -55°C ~ 150°C; Transistor NPN; 400; 300mW; 45V; 500mA; 100MHz; -55°C ~ 150°C;

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Parameter
Verlustleistung: 300mW
Grenzfrequenz: 100MHz
Stromverstärkungsfaktor: 400
Hersteller: MLCCBASE
Gehäuse: SOT23
Max. Kollektor-Strom [A]: 500mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 45V
Hersteller: MLCCBASE Hersteller-Teilenummer: MSBC817-25 RoHS Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt
Auf Lager:
2000 stk.
Anzahl Stück 20+ 100+ 500+ 3000+ 15000+
Nettopreis (EUR) 0,0580 0,0217 0,0116 0,0087 0,0080
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Standard-Verpackung:
3000
Verlustleistung: 300mW
Grenzfrequenz: 100MHz
Stromverstärkungsfaktor: 400
Hersteller: MLCCBASE
Gehäuse: SOT23
Max. Kollektor-Strom [A]: 500mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 45V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Transistor-Typ: NPN

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