BC847BS JSMICRO

Symbol Micros: TBC847bs JSM
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Gehäuse: SOT363
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Transistor 2xNPN; 450; 200mW; 45V; 100mA; 200MHz; -55°C ~ 150°C; Äquivalent: BC847BS,115; BC847BS,135; BS847BS-FAI; BC847BS-7-F; BC847BS-13-F; BC847BS-TP;

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Parameter
Verlustleistung: 200mW
Stromverstärkungsfaktor: 450
Hersteller: JSMICRO
Grenzfrequenz: 200MHz
Gehäuse: SOT363
Max. Kollektor-Strom [A]: 100mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 45V
Hersteller: JSMicro Semiconductor Hersteller-Teilenummer: BC847BS RoHS Gehäuse: SOT363 t/r Datenblatt
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3000 stk.
Anzahl Stück 10+ 50+ 200+ 1000+ 3000+
Nettopreis (EUR) 0,1052 0,0415 0,0241 0,0177 0,0162
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Standard-Verpackung:
3000
Verlustleistung: 200mW
Stromverstärkungsfaktor: 450
Hersteller: JSMICRO
Grenzfrequenz: 200MHz
Gehäuse: SOT363
Max. Kollektor-Strom [A]: 100mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 45V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Transistor-Typ: 2xNPN

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