BC856B GALAXY

Symbol Micros: TBC856b GAL
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23
Transistor PNP; 475; 250mW; 65V; 100mA; 100MHz; -55°C ~ 150°C; Transistor PNP; 475; 250mW; 65V; 100mA; 100MHz; -55°C ~ 150°C;

Haben Sie Fragen? Wir beantworten Sie gerne.
Schreiben Sie an sales // micros.com.pl oder rufen Sie an: +48 785 054 437

Parameter
Verlustleistung: 250mW
Stromverstärkungsfaktor: 475
Hersteller: GALAXY
Grenzfrequenz: 100MHz
Gehäuse: SOT23
Max. Kollektor-Strom [A]: 100mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 65V
Hersteller: GALAXY Hersteller-Teilenummer: BC856B RoHS Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt
Auf Lager:
3000 stk.
Anzahl Stück 10+ 50+ 400+ 3000+ 12000+
Nettopreis (EUR) 0,0620 0,0239 0,0116 0,0092 0,0088
Standard-Verpackung:
3000
Verlustleistung: 250mW
Stromverstärkungsfaktor: 475
Hersteller: GALAXY
Grenzfrequenz: 100MHz
Gehäuse: SOT23
Max. Kollektor-Strom [A]: 100mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 65V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Transistor-Typ: PNP