BC856B GALAXY
Symbol Micros:
TBC856b GAL
Gehäuse: SOT23
Transistor PNP; 475; 250mW; 65V; 100mA; 100MHz; -55°C ~ 150°C; Transistor PNP; 475; 250mW; 65V; 100mA; 100MHz; -55°C ~ 150°C;
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Parameter
Verlustleistung: | 250mW |
Stromverstärkungsfaktor: | 475 |
Hersteller: | GALAXY |
Grenzfrequenz: | 100MHz |
Gehäuse: | SOT23 |
Max. Kollektor-Strom [A]: | 100mA |
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: | 65V |
Verlustleistung: | 250mW |
Stromverstärkungsfaktor: | 475 |
Hersteller: | GALAXY |
Grenzfrequenz: | 100MHz |
Gehäuse: | SOT23 |
Max. Kollektor-Strom [A]: | 100mA |
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: | 65V |
Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
Transistor-Typ: | PNP |
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