BC857C,215

Symbol Micros: TBC857c
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23
Transistor PNP; 800; 250mW; 45V; 100mA; 100MHz; -65°C ~ 150°C; Transistor PNP; 800; 250mW; 45V; 100mA; 100MHz; -65°C ~ 150°C;
Parameter
Verlustleistung: 250mW
Grenzfrequenz: 100MHz
Stromverstärkungsfaktor: 800
Hersteller: NXP
Gehäuse: SOT23
Max. Kollektor-Strom [A]: 100mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 45V
Hersteller: NXP Hersteller-Teilenummer: BC857C,215 RoHS Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt
Auf Lager:
33400 stk.
Anzahl Stück 10+ 50+ 400+ 3000+ 12000+
Nettopreis (EUR) 0,0646 0,0249 0,0121 0,0096 0,0092
Standard-Verpackung:
3000
Verlustleistung: 250mW
Grenzfrequenz: 100MHz
Stromverstärkungsfaktor: 800
Hersteller: NXP
Gehäuse: SOT23
Max. Kollektor-Strom [A]: 100mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 45V
Betriebstemperatur (Bereich): -65°C ~ 150°C
Transistor-Typ: PNP