BC857CE6327HTSA1

Symbol Micros: TBC857c INF
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: SOT23
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Transistor GP BJT PNP 45V 0.1A Automotive 3-Pin SOT-23 Transistor GP BJT PNP 45V 0.1A Automotive 3-Pin SOT-23

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Parameter
Verlustleistung: 330mW
Grenzfrequenz: 250MHz
Stromverstärkungsfaktor: 800
Hersteller: Infineon Technologies
Gehäuse: SOT23
Max. Kollektor-Strom [A]: 100mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 45V
Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: BC857CE6327HTSA1 RoHS Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt
Auf Lager:
2990 stk.
Anzahl Stück 10+ 50+ 200+ 1000+ 3000+
Nettopreis (EUR) 0,0941 0,0370 0,0216 0,0158 0,0145
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Standard-Verpackung:
3000
Verlustleistung: 330mW
Grenzfrequenz: 250MHz
Stromverstärkungsfaktor: 800
Hersteller: Infineon Technologies
Gehäuse: SOT23
Max. Kollektor-Strom [A]: 100mA
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 45V
Betriebstemperatur (Bereich): -65°C ~ 150°C
Transistor-Typ: PNP

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