BD139-16 JSMICRO

Symbol Micros: TBD13916 JSM
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO126
Transistor NPN; 250; 8W; 100V; 1,5A; 190MHz; -65°C ~ 150°C; Äquivalent: BD13916S; BD13916STU; BD139-16-CDI;

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Parameter
Verlustleistung: 8W
Grenzfrequenz: 190MHz
Stromverstärkungsfaktor: 250
Hersteller: JSMICRO
Gehäuse: TO126
Max. Kollektor-Strom [A]: 1,5A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 100V
         
 
Artikel auf Anfrage erhältlich
Verlustleistung: 8W
Grenzfrequenz: 190MHz
Stromverstärkungsfaktor: 250
Hersteller: JSMICRO
Gehäuse: TO126
Max. Kollektor-Strom [A]: 1,5A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 100V
Betriebstemperatur (Bereich): -65°C ~ 150°C
Transistor-Typ: NPN