BD139-16 JSMICRO

Symbol Micros: TBD13916 JSM
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO126
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NPN-Transistor; 250; 8W; 100V; 1,5A; 190MHz; -65°C ~ 150°C; Äquivalent: BD13916S; BD13916STU; BD139-16-CDI;
Parameter
Verlustleistung: 8W
Grenzfrequenz: 190MHz
Stromverstärkungsfaktor: 250
Hersteller: JSMICRO
Gehäuse: TO126
Max. Kollektor-Strom [A]: 1,5A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 100V
Hersteller: JSMSEMI Hersteller-Teilenummer: BD139-16 RoHS Gehäuse: TO126bulk  
Auf Lager:
200 stk.
Anzahl Stück 5+ 20+ 100+ 500+ 2000+
Nettopreis (EUR) 0,2108 0,1162 0,0769 0,0641 0,0602
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Standard-Verpackung:
500
Verlustleistung: 8W
Grenzfrequenz: 190MHz
Stromverstärkungsfaktor: 250
Hersteller: JSMICRO
Gehäuse: TO126
Max. Kollektor-Strom [A]: 1,5A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 100V
Betriebstemperatur (Bereich): -65°C ~ 150°C
Transistor-Typ: NPN

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