BD681 JSMICRO

Symbol Micros: TBD681 JSM

Gehäuse: TO126

NPN Darlington-Transistor; 750; 40W; 100V; 4A; -55°C ~ 150°C; Äquivalent: BD681-ST; BD681G; BD681S; BD681STU;

Parameter

Verlustleistung:	40W
Stromverstärkungsfaktor:	750
Hersteller:	JSMICRO
Gehäuse:	TO126
Max. Kollektor-Strom [A]:	4A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung:	100V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C

Hersteller: JSMicro Semiconductor Hersteller-Teilenummer: BD681 RoHS Gehäuse: TO126bulk

Auf Lager:

65 stk.

Anzahl Stück	3+	20+	100+	300+	1000+
Nettopreis (EUR)	0,2901	0,1545	0,1198	0,1106	0,1059

Verlustleistung:	40W
Stromverstärkungsfaktor:	750
Hersteller:	JSMICRO
Gehäuse:	TO126
Max. Kollektor-Strom [A]:	4A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung:	100V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Transistor-Typ:	Darlington NPN

Anzahl Stück	3+	20+	100+	500+	2000+
Nettopreis (EUR)	0,3089	0,1707	0,1347	0,1224	0,1184

Anzahl Stück	3+	20+	100+	500+	2000+
Nettopreis (EUR)	0,3089	0,1707	0,1347	0,1224	0,1184

Anzahl Stück	3+	20+	100+	500+	2000+
Nettopreis (EUR)	0,3089	0,1707	0,1347	0,1224	0,1184

Anzahl Stück	3+	20+	100+	500+	2000+
Nettopreis (EUR)	0,3089	0,1707	0,1347	0,1224	0,1184

Anzahl Stück	3+	10+	50+	200+	500+
Nettopreis (EUR)	0,4575	0,2995	0,2144	0,1873	0,1745