BD681

Symbol Micros: TBD681sgs
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO126
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Transistor NPN; 750; 40W; 100V; 4A; -65°C ~ 150°C; Transistor NPN; 750; 40W; 100V; 4A; -65°C ~ 150°C;
Parameter
Verlustleistung: 40W
Stromverstärkungsfaktor: 750
Grenzfrequenz: 1MHz
Hersteller: STMicroelectronics
Gehäuse: TO126
Max. Kollektor-Strom [A]: 4A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 100V
Hersteller: ST Hersteller-Teilenummer: BD681 RoHS Gehäuse: TO126 Datenblatt
Auf Lager:
1250 stk.
Anzahl Stück 3+ 10+ 50+ 300+ 2000+
Nettopreis (EUR) 0,4359 0,2867 0,2065 0,1771 0,1678
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Standard-Verpackung:
50/2000
Verlustleistung: 40W
Stromverstärkungsfaktor: 750
Grenzfrequenz: 1MHz
Hersteller: STMicroelectronics
Gehäuse: TO126
Max. Kollektor-Strom [A]: 4A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 100V
Betriebstemperatur (Bereich): -65°C ~ 150°C
Transistor-Typ: NPN

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