BSS83PH6327XTSA1

Name: TBSS83p TBSS83p
Brand: Infineon
SKU: TBSS83p
Price: 0.0649 EUR
Availability: InStock

Symbol Micros: TBSS83p

Gehäuse: SOT23

P-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 20V; 3Ohm; 330mA; 360 mW; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: BSS83PH6327; BSS83PH6327XTSA1; BSS83P; SP000702486;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	3Ohm
Max. Drainstrom:	330mA
Maximaler Leistungsverlust:	360mW
Gehäuse:	SOT23
Hersteller:	Infineon Technologies
Max. Drain-Source Spannung:	60V
Transistor-Typ:	P-MOSFET

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: BSS83PH6327XTSA1 RoHS Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt

Auf Lager:

23890 stk.

Anzahl Stück	5+	20+	100+	500+	3000+
Nettopreis (EUR)	0,2273	0,1257	0,0836	0,0697	0,0649

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: BSS83PH6327XTSA1 Gehäuse: SOT23

Externes Lager:

49300 stk.

Anzahl Stück	100+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,0649

Widerstand im offenen Kanal:	3Ohm
Max. Drainstrom:	330mA
Maximaler Leistungsverlust:	360mW
Gehäuse:	SOT23
Hersteller:	Infineon Technologies
Max. Drain-Source Spannung:	60V
Transistor-Typ:	P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	20V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Montage:	SMD

Anzahl Stück	5+	30+	200+	1000+	5000+
Nettopreis (EUR)	0,1542	0,0615	0,0359	0,0299	0,0280

Anzahl Stück	5+	30+	200+	1000+	5000+
Nettopreis (EUR)	0,2359	0,0943	0,0548	0,0457	0,0429