BSS83PH6327XTSA1

Name: TBSS83p
Brand: Infineon
SKU: 44547
Price: 0.346000 PLN
Availability: InStock

Symbol Micros: TBSS83p

Gehäuse: SOT23

Transistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 3Ohm; 330mA; 360mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: BSS83PH6327; BSS83PH6327XTSA1; BSS83P;

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Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	3Ohm
Max. Drainstrom:	330mA
Maximaler Leistungsverlust:	360mW
Gehäuse:	SOT23
Hersteller:	Infineon Technologies
Max. Drain-Source Spannung:	60V
Transistor-Typ:	P-MOSFET

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: BSS83PH6327XTSA1 RoHS Gehäuse: SOT23t/r Datenblatt

Auf Lager:

44547 stk.

Anzahl Stück	5+	20+	100+	500+	3000+
Nettopreis (EUR)	0,2827	0,1566	0,1040	0,0867	0,0808

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Standard-Verpackung:
3000 Menge (Vielfache: 1)

Widerstand im offenen Kanal:	3Ohm
Max. Drainstrom:	330mA
Maximaler Leistungsverlust:	360mW
Gehäuse:	SOT23
Hersteller:	Infineon Technologies
Max. Drain-Source Spannung:	60V
Transistor-Typ:	P-MOSFET
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Max. Gate-Source Spannung:	20V
Montage:	SMD

Anzahl Stück	5+	30+	200+	1000+	5000+
Nettopreis (EUR)	0,1505	0,0601	0,0350	0,0292	0,0273

Anzahl Stück	5+	30+	200+	1000+	5000+
Nettopreis (EUR)	0,2302	0,0921	0,0535	0,0446	0,0418