BUT12AF iso

Symbol Micros: TBUT12af
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220iso
NPN 8A 400V 125W NPN 8A 400V 125W

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Parameter
Verlustleistung: 23W
Stromverstärkungsfaktor: 35
Hersteller: Inchange Semiconductors
Gehäuse: TO220iso
Max. Kollektor-Strom [A]: 8A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 450V
Betriebstemperatur (Bereich): -65°C ~ 150°C
Hersteller: ISC Hersteller-Teilenummer: BUT12AF RoHS Gehäuse: TO220iso  
Auf Lager:
55 stk.
Anzahl Stück 1+ 5+ 20+ 100+ 300+
Nettopreis (EUR) 1,9771 1,4670 1,2822 1,1910 1,1629
Standard-Verpackung:
20/100
Verlustleistung: 23W
Stromverstärkungsfaktor: 35
Hersteller: Inchange Semiconductors
Gehäuse: TO220iso
Max. Kollektor-Strom [A]: 8A
Max. Kollektor-Emitter-Spannung: 450V
Betriebstemperatur (Bereich): -65°C ~ 150°C
Transistor-Typ: NPN