FDD8896 UMW

Symbol Micros: TFDD8896 UMW
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO252 (DPACK)
N-Channel-MOSFET-Transistor; 30V; 20V; 92mOhm; 94A; 80W; -55°C ~ 175°C; Äquivalent: FDD8896 Onsemi;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 92mOhm
Max. Drainstrom: 94A
Maximaler Leistungsverlust: 80W
Gehäuse: TO252 (DPACK)
Hersteller: UMW
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: UMW Hersteller-Teilenummer: FDD8896 RoHS Gehäuse: TO252 (DPACK) t/r Datenblatt
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100 stk.
Anzahl Stück 2+ 10+ 30+ 100+ 400+
Nettopreis (EUR) 0,6166 0,3863 0,3211 0,2862 0,2676
Standard-Verpackung:
100
Widerstand im offenen Kanal: 92mOhm
Max. Drainstrom: 94A
Maximaler Leistungsverlust: 80W
Gehäuse: TO252 (DPACK)
Hersteller: UMW
Max. Drain-Source Spannung: 30V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 20V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 175°C
Montage: SMD