FDN338P
Symbol Micros:
TFDN338p
Gehäuse: SSOT3
P-Channel-MOSFET-Transistor; 20V; 8V; 165 mOhm; 1,6A; 500 mW; -55 °C ~ 150 °C;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: | 165mOhm |
Max. Drainstrom: | 1,6A |
Maximaler Leistungsverlust: | 500mW |
Gehäuse: | SSOT3 |
Hersteller: | Fairchild |
Max. Drain-Source Spannung: | 20V |
Transistor-Typ: | P-MOSFET |
Hersteller: ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer: FDN338P RoHS
Gehäuse: SSOT3
Auf Lager:
3000 stk.
Anzahl Stück | 3+ | 20+ | 100+ | 300+ | 1000+ |
---|---|---|---|---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,3526 | 0,1948 | 0,1530 | 0,1417 | 0,1359 |
Hersteller: ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer: FDN338P
Gehäuse: SSOT3
Externes Lager:
159000 stk.
Anzahl Stück | 3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,1359 |
Hersteller: ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer: FDN338P
Gehäuse: SSOT3
Externes Lager:
66000 stk.
Anzahl Stück | 3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,1359 |
Hersteller: Fairchild
Hersteller-Teilenummer: FDN338P
Gehäuse: SSOT3
Externes Lager:
201000 stk.
Anzahl Stück | 3000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,1359 |
Widerstand im offenen Kanal: | 165mOhm |
Max. Drainstrom: | 1,6A |
Maximaler Leistungsverlust: | 500mW |
Gehäuse: | SSOT3 |
Hersteller: | Fairchild |
Max. Drain-Source Spannung: | 20V |
Transistor-Typ: | P-MOSFET |
Max. Gate-Source Spannung: | 8V |
Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
Montage: | SMD |
Symbol bearbeiten
Löschen in Verbindung mit dem Auftragnehmersymbol
Symbol hinzufügen
Abbrechen
Alle Auftragnehmer-Symbole