FDV304P
Symbol Micros:
TFDV304p
Gehäuse: SOT23
P-Channel-MOSFET-Transistor; 25V; 8V; 2Ohm; 460mA; 350 mW; -55 °C ~ 150 °C; FDV 304 P;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: | 2Ohm |
Max. Drainstrom: | 460mA |
Maximaler Leistungsverlust: | 350mW |
Gehäuse: | SOT23 |
Hersteller: | ON SEMICONDUCTOR |
Max. Drain-Source Spannung: | 25V |
Transistor-Typ: | P-MOSFET |
Hersteller: ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer: FDV304P RoHS
Gehäuse: SOT23t/r
Auf Lager:
13170 stk.
Anzahl Stück | 5+ | 20+ | 100+ | 500+ | 3000+ |
---|---|---|---|---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,2187 | 0,1110 | 0,0673 | 0,0533 | 0,0486 |
Hersteller: ON-Semicoductor
Hersteller-Teilenummer: FDV304P
Gehäuse: SOT23
Externes Lager:
12000 stk.
Anzahl Stück | 6000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
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Nettopreis (EUR) | 0,0486 |
Hersteller: Fairchild
Hersteller-Teilenummer: FDV304P
Gehäuse: SOT23
Externes Lager:
12078000 stk.
Anzahl Stück | 6000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,0486 |
Widerstand im offenen Kanal: | 2Ohm |
Max. Drainstrom: | 460mA |
Maximaler Leistungsverlust: | 350mW |
Gehäuse: | SOT23 |
Hersteller: | ON SEMICONDUCTOR |
Max. Drain-Source Spannung: | 25V |
Transistor-Typ: | P-MOSFET |
Max. Gate-Source Spannung: | 8V |
Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
Montage: | SMD |
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