IRF1010E JSMICRO

Symbol Micros: TIRF1010 JSM
Symbol des Auftragnehmers:
Gehäuse: TO220
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N-Channel-MOSFET-Transistor; 60V; 25V; 8,5 mOhm; 85A; 200 W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: IRF1010EPBF; SP001569818;

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Parameter
Widerstand im offenen Kanal: 8,5mOhm
Max. Drainstrom: 85A
Maximaler Leistungsverlust: 200W
Gehäuse: TO220
Hersteller: JSMICRO
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Hersteller: JSMicro Semiconductor Hersteller-Teilenummer: IRF1010E RoHS Gehäuse: TO220 Datenblatt
Auf Lager:
100 stk.
Anzahl Stück 1+ 3+ 10+ 50+ 200+
Nettopreis (EUR) 0,8644 0,6342 0,5074 0,4369 0,4111
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Standard-Verpackung:
50
Widerstand im offenen Kanal: 8,5mOhm
Max. Drainstrom: 85A
Maximaler Leistungsverlust: 200W
Gehäuse: TO220
Hersteller: JSMICRO
Max. Drain-Source Spannung: 60V
Transistor-Typ: N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung: 25V
Betriebstemperatur (Bereich): -55°C ~ 150°C
Montage: THT

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