IRF3205PBF

Name: TIRF3205 TIRF3205
Brand: International Rectifier
SKU: TIRF3205
Price: 0.5480 EUR
Availability: InStock

Symbol Micros: TIRF3205

Gehäuse: TO220

N-Channel-MOSFET-Transistor; 55V; 20V; 8mOhm; 110A; 200 W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRF3205PBF; IRF 3205 PBF; IRF3205;

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Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	8mOhm
Max. Drainstrom:	110A
Maximaler Leistungsverlust:	200W
Gehäuse:	TO220
Hersteller:	Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung:	55V
Transistor-Typ:	N-MOSFET

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRF3205PBF RoHS Gehäuse: TO220

Auf Lager:

1 stk.

Anzahl Stück	1+	5+	50+	100+	500+
Nettopreis (EUR)	1,1513	0,7644	0,5918	0,5710	0,5480

Hersteller: International Rectifier Hersteller-Teilenummer: IRF3205PBF RoHS Gehäuse: TO220 Datenblatt

Auf Lager:

450 stk.

Anzahl Stück	1+	5+	50+	100+	500+
Nettopreis (EUR)	1,1513	0,7644	0,5918	0,5710	0,5480

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRF3205PBF Gehäuse: TO220

Externes Lager:

7736 stk.

Anzahl Stück	1+ (Falsche Menge? Bitten Sie um eine andere Menge.)
Nettopreis (EUR)	0,5480

Hersteller: International Rectifier Hersteller-Teilenummer: IRF3205PBF Gehäuse: TO220

Externes Lager:

8942 stk.

Anzahl Stück	1+ (Falsche Menge? Bitten Sie um eine andere Menge.)
Nettopreis (EUR)	0,5480

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRF3205PBF Gehäuse: TO220

Externes Lager:

6410 stk.

Anzahl Stück	10+ (Falsche Menge? Bitten Sie um eine andere Menge.)
Nettopreis (EUR)	0,5480

Widerstand im offenen Kanal:	8mOhm
Max. Drainstrom:	110A
Maximaler Leistungsverlust:	200W
Gehäuse:	TO220
Hersteller:	Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung:	55V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	20V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 175°C
Montage:	THT

Anzahl Stück	2+	10+	50+	250+	1000+
Nettopreis (EUR)	0,8473	0,5365	0,4237	0,3822	0,3684

Anzahl Stück	2+	10+	50+	200+	1000+
Nettopreis (EUR)	0,7368	0,4674	0,3684	0,3362	0,3201