IRF520N

Symbol Micros: TIRF520n

Gehäuse: TO220

N-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 200 mOhm; 9,7A; 48W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRF520NPBF;

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Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	200mOhm
Max. Drainstrom:	9,7A
Maximaler Leistungsverlust:	48W
Gehäuse:	TO220
Hersteller:	Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung:	100V
Transistor-Typ:	N-MOSFET

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRF520N RoHS Gehäuse: TO220

Auf Lager:

130 stk.

Anzahl Stück	1+	3+	10+	50+	200+
Nettopreis (EUR)	1,0455	0,7681	0,6164	0,5287	0,4978

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRF520NPBF Gehäuse: TO220

Externes Lager:

18038 stk.

Anzahl Stück	100+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,4978

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRF520NPBF Gehäuse: TO220

Externes Lager:

1540 stk.

Anzahl Stück	10+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,4978

Widerstand im offenen Kanal:	200mOhm
Max. Drainstrom:	9,7A
Maximaler Leistungsverlust:	48W
Gehäuse:	TO220
Hersteller:	Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung:	100V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	20V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 175°C
Montage:	THT

Anzahl Stück	2+	10+	50+	200+	1000+
Nettopreis (EUR)	0,6756	0,4291	0,3390	0,3082	0,2940