Hauptseite / Transistoren / Feldeffekttransistoren / IRF5305PBF

IRF5305PBF

Name: TIRF5305 TIRF5305
Brand: Infineon
SKU: TIRF5305
Price: 0.4664 EUR
Availability: InStock

Symbol Micros: TIRF5305

Gehäuse: TO220

Datenblatt

Technische Zeichnung Zu favoriten hinzufügen

P-Channel-MOSFET-Transistor; 55V; 20V; 60mOhm; 31A; 110 W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRF5305PBF; IRF5305TRLPBF; IRF5305TRPBF; IRF5305LPBF; IRF5305;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	60mOhm
Max. Drainstrom:	31A
Maximaler Leistungsverlust:	110W
Gehäuse:	TO220
Hersteller:	Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung:	55V
Transistor-Typ:	P-MOSFET

Hersteller: International Rectifier Hersteller-Teilenummer: IRF5305 RoHS Gehäuse: TO220

Auf Lager:

1246 stk.

Anzahl Stück	1+	3+	10+	50+	200+
Nettopreis (EUR)	0,9795	0,7183	0,5760	0,4944	0,4664

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRF5305PBF Gehäuse: TO220

Externes Lager:

121934 stk.

Anzahl Stück	1000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,4664

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRF5305PBF Gehäuse: TO220

Externes Lager:

40911 stk.

Anzahl Stück	400+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,4664

Hersteller: Infineon Hersteller-Teilenummer: IRF5305PBF Gehäuse: TO220

Externes Lager:

3880 stk.

Anzahl Stück	1+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,4664

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	60mOhm
Max. Drainstrom:	31A
Maximaler Leistungsverlust:	110W
Gehäuse:	TO220
Hersteller:	Infineon (IRF)
Max. Drain-Source Spannung:	55V
Transistor-Typ:	P-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	20V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 175°C
Montage:	THT

Anzahl Stück	2+	10+	50+	100+	400+
Nettopreis (EUR)	0,6390	0,4011	0,3148	0,2962	0,2775

IRF5305PBF

Symbol bearbeiten

Löschen in Verbindung mit dem Auftragnehmersymbol

Symbol hinzufügen