IRF540N
Symbol Micros:
TIRF540n
Gehäuse: TO220
N-Channel-MOSFET-Transistor; 100V; 20V; 44mOhm; 33A; 130 W; -55 °C ~ 175 °C; Äquivalent: IRF540NPBF; IRF 540N PBF;
Parameter
Widerstand im offenen Kanal: | 44mOhm |
Max. Drainstrom: | 33A |
Maximaler Leistungsverlust: | 130W |
Gehäuse: | TO220 |
Hersteller: | Infineon (IRF) |
Max. Drain-Source Spannung: | 100V |
Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: IRF540N RoHS
Gehäuse: TO220
Auf Lager:
8469 stk.
Anzahl Stück | 1+ | 3+ | 10+ | 50+ | 200+ |
---|---|---|---|---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,9045 | 0,6628 | 0,5336 | 0,4570 | 0,4307 |
Hersteller: International Rectifier
Hersteller-Teilenummer: IRF540N RoHS
Gehäuse: TO220
Datenblatt
Auf Lager:
35 stk.
Anzahl Stück | 1+ | 3+ | 10+ | 50+ | 200+ |
---|---|---|---|---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,9045 | 0,6628 | 0,5336 | 0,4570 | 0,4307 |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: IRF540NPBF
Gehäuse: TO220
Externes Lager:
104407 stk.
Anzahl Stück | 1000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,4307 |
Hersteller: Infineon
Hersteller-Teilenummer: IRF540NPBF
Gehäuse: TO220
Externes Lager:
7050 stk.
Anzahl Stück | 10+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis). |
---|---|
Nettopreis (EUR) | 0,4307 |
Widerstand im offenen Kanal: | 44mOhm |
Max. Drainstrom: | 33A |
Maximaler Leistungsverlust: | 130W |
Gehäuse: | TO220 |
Hersteller: | Infineon (IRF) |
Max. Drain-Source Spannung: | 100V |
Transistor-Typ: | N-MOSFET |
Max. Gate-Source Spannung: | 20V |
Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 175°C |
Montage: | THT |
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