IRF630 JSMICRO
Symbol Micros:
TIRF630 JSM
Gehäuse: TO220
N-Channel-MOSFET-Transistor; 200V; 30V; 400mOhm; 9A; 72W; -55°C ~ 150°C; Äquivalent: IRF630PBF; IRF630PBF-BE3; IRF630NPBF; SP001564792;
Parameter
| Widerstand im offenen Kanal: | 400mOhm |
| Max. Drainstrom: | 9A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 72W |
| Gehäuse: | TO220 |
| Hersteller: | JSMICRO |
| Max. Drain-Source Spannung: | 200V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Widerstand im offenen Kanal: | 400mOhm |
| Max. Drainstrom: | 9A |
| Maximaler Leistungsverlust: | 72W |
| Gehäuse: | TO220 |
| Hersteller: | JSMICRO |
| Max. Drain-Source Spannung: | 200V |
| Transistor-Typ: | N-MOSFET |
| Max. Gate-Source Spannung: | 30V |
| Betriebstemperatur (Bereich): | -55°C ~ 150°C |
| Montage: | THT |
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