IRF730

Symbol Micros: TIRF730

Gehäuse: TO220

N-Channel-MOSFET-Transistor; 400V; 20V; 1Ohm; 5,5A; 74W; -55 °C ~ 150 °C; Äquivalent: IRF730PBF;

Parameter

Widerstand im offenen Kanal:	1Ohm
Max. Drainstrom:	5,5A
Maximaler Leistungsverlust:	74W
Gehäuse:	TO220
Hersteller:	VISHAY
Max. Drain-Source Spannung:	400V
Transistor-Typ:	N-MOSFET

Hersteller: Siliconix Hersteller-Teilenummer: IRF730 RoHS Gehäuse: TO220

Auf Lager:

177 stk.

Anzahl Stück	1+	5+	10+	50+	400+
Nettopreis (EUR)	0,9224	0,6118	0,5488	0,4717	0,4390

Hersteller: Vishay Hersteller-Teilenummer: IRF730PBF Gehäuse: TO220

Externes Lager:

1002 stk.

Anzahl Stück	1000+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,4390

Hersteller: Vishay Hersteller-Teilenummer: IRF730PBF Gehäuse: TO220

Externes Lager:

1200 stk.

Anzahl Stück	25+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,4845

Hersteller: - Hersteller-Teilenummer: IRF730PBF Gehäuse: TO220

Externes Lager:

500 stk.

Anzahl Stück	1+ (Benötigen Sie eine wesentlich größere Menge, fragen Sie nach dem Preis).
Nettopreis (EUR)	0,4390

Widerstand im offenen Kanal:	1Ohm
Max. Drainstrom:	5,5A
Maximaler Leistungsverlust:	74W
Gehäuse:	TO220
Hersteller:	VISHAY
Max. Drain-Source Spannung:	400V
Transistor-Typ:	N-MOSFET
Max. Gate-Source Spannung:	20V
Betriebstemperatur (Bereich):	-55°C ~ 150°C
Montage:	THT

Anzahl Stück	2+	10+	50+	200+	1000+
Nettopreis (EUR)	0,7800	0,4927	0,3900	0,3549	0,3386